Name: Studien und Charakterisierung von ZnS-Dünnschichten (en Alemán)
SKU: 59496338
Price: 719.41 MXN
Availability: InStock
Author: Alagesan, Arunkumar
ISBN: 9786207063611

portada Studien und Charakterisierung von ZnS-Dünnschichten (en Alemán)

Studien und Charakterisierung von ZnS-Dünnschichten (en Alemán)

Formato

Libro Físico

Autor

Arunkumar Alagesan

Editorial

Verlag Unser Wissen

Idioma

Alemán

N° páginas

Encuadernación

Tapa Blanda

Dimensiones

22.9x15.2x0.3 cm

Peso

0.09 kg.

ISBN13

9786207063611

Categorías

Física

Studien und Charakterisierung von ZnS-Dünnschichten (en Alemán)

Arunkumar Alagesan (Autor) · Verlag Unser Wissen · Tapa Blanda

Libro Nuevo Importado

Envío: 23 a 28 días háb.

$ 1,598.70$ 719.41

-55%

Costos de importación incluídos en el precio ✅

Libro Nuevo

Quedan 10 unidades

$ 719.41

¡Envío Gratis! Llega entre el 08 Dic y el 16 Dic a CUAUHTÉMOC, Ciudad de México. Seleccionar ubicación

Agregar a lista de deseos

Reseña del libro "Studien und Charakterisierung von ZnS-Dünnschichten (en Alemán)"

Die II-VI-Verbindungshalbleiter sind aufgrund ihrer Anwendung in verschiedenen elektro-optischen Geräten von gro er Bedeutung. Dünne ZnS-Schichten finden viele weitere Anwendungen im Bereich der Herstellung optoelektronischer Geräte wie UV-Leuchtdioden, blaue Leuchtdioden, emittierende Flachbildschirme, Elektrolumineszenzgeräte und Antireflexionsbeschichtungen in der Solarzellentechnik. Für die Herstellung von ZnS-Dünnschichten wurden verschiedene Methoden angewandt. Wir haben ZnS-Filme mit der Methode der chemischen Badabscheidung unter Verwendung von Natriumhydroxid als Komplexbildner abgeschieden. Die strukturellen und morphologischen Eigenschaften der Filme wurden mit Röntgenbeugung (XRD) und dem Rasterelektronenmikroskop untersucht. Das XRD zeigt, dass die abgeschiedene Schicht polykristallin ist und eine kubische Struktur aufweist. Die Korngrö e liegt schätzungsweise im Bereich von 35-70 nm. Die Kristallinität des ZnS-Films wurde mittels HRTEM mit Hilfe des Elektronenbeugungsmusters analysiert. Die Filme zeigen gute optische Eigenschaften mit hoher Durchlässigkeit im sichtbaren Bereich und die Bandlücke wurde mit 3,3 eV - 2,1 eV bestimmt. ZnS-Filme können als Pufferschichten auf CdTe-Solarzellen verwendet werden.