Name: Strain-Induced Effects in Advanced Mosfets (Computational Microelectronics) (en Inglés)
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Author: Viktor Sverdlov
ISBN: 9783709119334

portada Strain-Induced Effects in Advanced Mosfets (Computational Microelectronics) (en Inglés)

Strain-Induced Effects in Advanced Mosfets (Computational Microelectronics) (en Inglés)

Formato

Libro Físico

Editorial

Springer

Autor

Viktor Sverdlov

Idioma

Inglés

N° páginas

252

Encuadernación

Tapa Blanda

ISBN13

9783709119334

N° edición

Strain-Induced Effects in Advanced Mosfets (Computational Microelectronics) (en Inglés)

Viktor Sverdlov (Autor) · Springer · Tapa Blanda

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Reseña del libro "Strain-Induced Effects in Advanced Mosfets (Computational Microelectronics) (en Inglés)"

Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductor films is investigated in devices using analytical k.p and numerical pseudopotential methods. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given.