Name: Proprietà elettroniche e dielettriche del grafene e dell'ossido di grafene (en Italiano)
SKU: 57677401
Price: 732.05 MXN
Availability: InStock
Author: Dada, Oluwaseun John
ISBN: 9786202843102

portada Proprietà elettroniche e dielettriche del grafene e dell'ossido di grafene (en Italiano)

Proprietà elettroniche e dielettriche del grafene e dell'ossido di grafene (en Italiano)

Formato

Libro Físico

Editorial

Edizioni Sapienza

Autor

Dada, Oluwaseun John

Idioma

Italiano

N° páginas

Encuadernación

Tapa Blanda

Dimensiones

22.9x15.2x0.5 cm

Peso

0.14 kg.

ISBN13

9786202843102

Categorías

Química

Proprietà elettroniche e dielettriche del grafene e dell'ossido di grafene (en Italiano)

Dada, Oluwaseun John (Autor) · Edizioni Sapienza · Tapa Blanda

Libro Nuevo Importado

Envío: 22 a 27 días háb.

$ 1,220.09$ 732.05

-40%

Costos de importación incluídos en el precio ✅

Libro Nuevo

Quedan 10 unidades

$ 732.05

¡Envío Gratis! Llega entre el 08 Oct y el 16 Oct a CUAUHTÉMOC, Ciudad de México. Seleccionar ubicación

Agregar a lista de deseos

Reseña del libro "Proprietà elettroniche e dielettriche del grafene e dell'ossido di grafene (en Italiano)"

Questo lavoro stabilisce che le proprietà elettroniche e dielettriche dipendenti dalla frequenza e dalla temperatura del grafene elettrochimicamente ridotto (ERGO) sono superiori di 2 ordini di grandezza rispetto alle carte di ossido di grafene (GO). C'è una polarizzazione più forte come risultato di una maggiore concentrazione di cluster ridotti e di assottigliamento dei fogli di grafene nelle carte ERGO, prima carta elettrochimicamente ridotta da GO. Nel GO, c'è una maggiore dipendenza dalla frequenza a causa di una maggiore percentuale di legami O-H interstrato. La permittività dielettrica aumenta con frequenza decrescente a causa della maggiore polarizzazione e delle minori perdite di conduzione. Ad altissime frequenze, maggiori perdite di conduzione sono responsabili di minori valori di permittività dielettrica delle carte ERGO rispetto alle carte GO. Il profilo di conducibilità dipendente dalla temperatura è dovuto al trasporto attivato termicamente, al tempo di permanenza e alla dispersione ionica dei portatori di carica. Il recupero delle proprietà conduttive e dielettriche a temperature più elevate era dovuto al passaggio da un sistema multi-nano-capacitore dielettrico ad aria di grafene ad un sistema multi-nano-capacitore di grafene.