Name: Propiedades luminiscentes del silicio y el óxido de estaño. Estudios PL y TL de nanofosforos de silicio y óxido de estaño dopados con tierras raras preparados mediante el método sol-gel
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Author: Namrata Bajpai
ISBN: 9786209049637

portada Propiedades luminiscentes del silicio y el óxido de estaño. Estudios PL y TL de nanofosforos de silicio y óxido de estaño dopados con tierras raras preparados mediante el método sol-gel

Propiedades luminiscentes del silicio y el óxido de estaño. Estudios PL y TL de nanofosforos de silicio y óxido de estaño dopados con tierras raras preparados mediante el método sol-gel

Formato

Libro Físico

Editorial

Ediciones Nuestro Conocimiento

Autor

Namrata Bajpai

Año

2025

Idioma

Español

N° páginas

168

Encuadernación

Tapa Blanda

Dimensiones

22x15 cm

ISBN13

9786209049637

Propiedades luminiscentes del silicio y el óxido de estaño. Estudios PL y TL de nanofosforos de silicio y óxido de estaño dopados con tierras raras preparados mediante el método sol-gel

Namrata Bajpai (Autor) · Ediciones Nuestro Conocimiento · Tapa Blanda

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Reseña del libro "Propiedades luminiscentes del silicio y el óxido de estaño. Estudios PL y TL de nanofosforos de silicio y óxido de estaño dopados con tierras raras preparados mediante el método sol-gel"

Este libro ofrece una visión general de los estudios sobre las propiedades físicas, químicas y luminiscentes de los fósforos de óxido del grupo IV A puros y dopados con tierras raras. Los óxidos considerados en el presente trabajo son el SiO2 y el SnO2. El SiO2 se conoce desde hace mucho tiempo como un huésped conveniente para las tierras raras y se ha utilizado ampliamente para la fabricación de láseres de estado sólido, mientras que el SnO2 es un semiconductor de tipo n con una banda prohibida amplia de 2,5-3 eV, que cristaliza en estructura de rutilo (estructura tetragonal). El SnO2 pertenece a una clase especial de semiconductores que tienen bandas prohibidas directas, pero que están prohibidos por dipolo debido a su especial simetría de función de onda. En el presente trabajo, se han preparado fósforos de óxido del grupo IV A (SiO2 y SnO2) mediante el método sol-gel, pero los nanofósforos puros del grupo IV A tienen una intensidad luminosa débil. Esta intensidad se multiplica al doparlos con elementos de tierras raras, por lo que se ha llevado a cabo el dopaje con la ayuda de elementos de tierras raras (Ce3+, Eu3+ y Dy3+). Se incorporan simultáneamente a matrices de sílice y estaño mediante procesos sol-gel y se caracterizan además mediante técnicas de caracterización general y luminiscente.