Name: Novel Three-State Quantum Dot Gate Field Effect Transistor: Fabrication, Modeling and Applications (en Inglés)
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Availability: InStock
Author: Karmakar, Supriya
ISBN: 9788132216346

portada Novel Three-State Quantum Dot Gate Field Effect Transistor: Fabrication, Modeling and Applications (en Inglés)

Novel Three-State Quantum Dot Gate Field Effect Transistor: Fabrication, Modeling and Applications (en Inglés)

Formato

Libro Físico

Autor

Supriya Karmakar

Editorial

Springer

Idioma

Inglés

N° páginas

134

Encuadernación

Tapa Dura

Dimensiones

23.4x15.6x1 cm

Peso

0.39 kg.

ISBN13

9788132216346

Categorías

Nanotecnología
Electrónica: circuitos y componentes

Novel Three-State Quantum Dot Gate Field Effect Transistor: Fabrication, Modeling and Applications (en Inglés)

Supriya Karmakar (Autor) · Springer · Tapa Dura

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Reseña del libro "Novel Three-State Quantum Dot Gate Field Effect Transistor: Fabrication, Modeling and Applications (en Inglés)"

The book presents the fabrication and circuit modeling of quantum dot gate field effect transistor (QDGFET) and quantum dot gate NMOS inverter (QDNMOS inverter). It also introduces the development of a circuit model of QDGFET based on Berkley Short Channel IGFET model (BSIM). Different ternary logic circuits based on QDGFET are also investigated in this book. Advanced circuit such as three-bit and six bit analog-to-digital converter (ADC) and digital-to-analog converter (DAC) were also simulated.