Name: Molecular Beam Epitaxy: Fundamentals and Current Status (en Inglés)
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Availability: InStock
Author: Marian A. A. Herman; Helmut Sitter
ISBN: 9783642800627

portada Molecular Beam Epitaxy: Fundamentals and Current Status (en Inglés)

Molecular Beam Epitaxy: Fundamentals and Current Status (en Inglés)

Formato

Libro Físico

Editorial

Springer

Autor

Marian A. A. Herman; Helmut Sitter

Idioma

Inglés

N° páginas

453

Encuadernación

Tapa Blanda

ISBN13

9783642800627

N° edición

Molecular Beam Epitaxy: Fundamentals and Current Status (en Inglés)

Marian A. A. Herman; Helmut Sitter (Autor) · Springer · Tapa Blanda

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Reseña del libro "Molecular Beam Epitaxy: Fundamentals and Current Status (en Inglés)"

Molecular Beam Epitaxy describes a technique in wide-spread use for the production of high-quality semiconductor devices. It discusses the most important aspects of the MBE apparatus, the physics and chemistry of the crystallization of various materials and device structures, and the characterization methods that relate the structural parameters of the grown (or growing) film or structure to the technologically relevant procedure. In this second edition two new fields have been added: crystallization of as-grown low-dimensional heterostructures, mainly quantum wires and quantum dots, and in-growth control of the MBE crystallization process of strained-layer structures. Out-of-date material has been removed.

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