Name: Modellazione dei parametri di base per i MOSFET non convenzionali (en Italiano)
SKU: 59146695
Price: 1052.33 MXN
Availability: InStock
Author: De, Swapnadip
ISBN: 9786206331209

portada Modellazione dei parametri di base per i MOSFET non convenzionali (en Italiano)

Modellazione dei parametri di base per i MOSFET non convenzionali (en Italiano)

Formato

Libro Físico

Autor

Swapnadip De

Editorial

Edizioni Sapienza

Idioma

Italiano

N° páginas

Encuadernación

Tapa Blanda

Dimensiones

22.9x15.2x0.4 cm

Peso

0.10 kg.

ISBN13

9786206331209

Categorías

Ingeniería electrónica

Modellazione dei parametri di base per i MOSFET non convenzionali (en Italiano)

Swapnadip De (Autor) · Edizioni Sapienza · Tapa Blanda

Libro Nuevo Importado

Envío: 22 a 27 días háb.

$ 1,753.88$ 1,052.33

-40%

Costos de importación incluídos en el precio ✅

Libro Nuevo

Quedan 10 unidades

$ 1,052.33

¡Envío Gratis! Llega entre el 08 Oct y el 16 Oct a CUAUHTÉMOC, Ciudad de México. Seleccionar ubicación

Agregar a lista de deseos

Reseña del libro "Modellazione dei parametri di base per i MOSFET non convenzionali (en Italiano)"

In questo libro, le tecniche di ingegneria del canale e di ingegneria del gate sono combinate per formare nuove strutture di dispositivi proposte come MOSFET a singolo alone e doppio materiale (SHDMG) e MOSFET a doppio alone e doppio materiale (DHDMG). I MOSFET avanzati sono drogati in modo non uniforme a causa del complesso flusso di processo. Pertanto, uno dei fattori chiave per modellare accuratamente i parametri caratteristici è la modellazione del profilo di drogaggio non uniforme. Il libro presenta anche un modello analitico del potenziale superficiale sotto soglia, della tensione di soglia, della corrente di drenaggio basata sulla teoria della diffusione della deriva e della transconduttanza per gli n-MOSFET SHDMG e DHDMG a profilo lineare e gaussiano che operano fino al regime dei 40 nm. Viene inoltre proposto un modello analitico di corrente di drenaggio sotto soglia basato sul potenziale quasi-Fermi per transistor MOS SHDMG e DHDMG lineari e a profilo gaussiano, che incorpora i campi di frangia alle due estremità del dispositivo.