Name: Ferroelectricity in Doped Hafnium Oxide: Materials, Properties and Devices (Woodhead Publishing Series in Electronic and Optical Materials) (en Inglés)
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ISBN: 9780081024300

portada Ferroelectricity in Doped Hafnium Oxide: Materials, Properties and Devices (Woodhead Publishing Series in Electronic and Optical Materials) (en Inglés)

Ferroelectricity in Doped Hafnium Oxide: Materials, Properties and Devices (Woodhead Publishing Series in Electronic and Optical Materials) (en Inglés)

Formato

Libro Físico

Editorial

Woodhead Publishing

Año

2019

Idioma

Inglés

N° páginas

570

Encuadernación

Tapa Blanda

ISBN13

9780081024300

N° edición

Categorías

Ingeniería electrónica

Ferroelectricity in Doped Hafnium Oxide: Materials, Properties and Devices (Woodhead Publishing Series in Electronic and Optical Materials) (en Inglés)

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Reseña del libro "Ferroelectricity in Doped Hafnium Oxide: Materials, Properties and Devices (Woodhead Publishing Series in Electronic and Optical Materials) (en Inglés)"

Ferroelectricity in Doped Hafnium Oxide: Materials, Properties and Devices covers all aspects relating to the structural and electrical properties of HfO2 and its implementation into semiconductor devices, including a comparison to standard ferroelectric materials. The ferroelectric and field-induced ferroelectric properties of HfO2-based films are considered promising for various applications, including non-volatile memories, negative capacitance field-effect-transistors, energy storage, harvesting, and solid-state cooling. Fundamentals of ferroelectric and piezoelectric properties, HfO2 processes, and the impact of dopants on ferroelectric properties are also extensively discussed in the book, along with phase transition, switching kinetics, epitaxial growth, thickness scaling, and more. Additional chapters consider the modeling of ferroelectric phase transformation, structural characterization, and the differences and similarities between HFO2 and standard ferroelectric materials. Finally, HfO2 based devices are summarized.Explores all aspects of the structural and electrical properties of HfO2, including processes, modelling and implementation into semiconductor devicesConsiders potential applications including FeCaps, FeFETs, NCFETs, FTJs and moreProvides comparison of an emerging ferroelectric material to conventional ferroelectric materials with insights to the problems of downscaling that conventional ferroelectrics face

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