Existem muitas bandas de frequência largas e não atribuídas nas frequências de sub-terahertz (acima de 100 GHz) que são atractivas para aplicações de banda larga. O potencial deste fosso terahertz não licenciado e não utilizado no espectro entre micro-ondas e espectro óptico, tais como enorme largura de banda, tamanho muito pequeno, taxas de dados muito elevadas para aplicações de comunicação chip-tochip sem fios e menor probabilidade de interferência externa é um desafio não só para aplicações espaciais, mas também para aplicações de defesa. A fraqueza dos tubos de vácuo (volumosos e discretos) pode ser ultrapassada se os tubos de vácuo forem feitos por tecnologias de nanofabricação por silício e se o mecanismo de operação for transferido da emissão termiónica para a emissão de campo. Esta tese de diploma apresenta o desenho de investigação, utilizando ferramentas de software apropriadas, de um transistor de 150 nm de canal de vácuo. Este transistor está a operar numa frequência sobre o espectro de microondas e abaixo do espectro óptico, portanto entre 100 GHz a 3 THz, utilizando o processo tradicional do silício.